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所有分類下結(jié)果
宏微IGBT模塊MMG200D120B6TN MMG50W120XB6TN MMG300D120B6TN
[中介]適用于通用變頻器行業(yè)
[全國(guó) 整流器/整流設(shè)備] 福建/泉州 福建省泉州市
宏微IGBT模塊MMG300D170B6EN MMG200D170B6EN MMG150D170B6EN
[中介]適用于高壓變頻行業(yè)
[全國(guó) 整流器/整流設(shè)備] 福建/泉州 福建省泉州市
PS20熔體壓力傳感器儀表
高溫熔體壓力傳感器PW800熔體壓力傳感器儀表與同類進(jìn)口高溫熔體壓力傳感器產(chǎn)品如 Dynisco Gefran Dingli互換使用；
[滁州 儀器儀表]
富士IGBT模塊2MBI300U2B-060 2MBI600U2E-060 2MBI200N-060
[中介]N系列和U2系列（高速，低導(dǎo)通壓降）
[全國(guó) 可控硅(晶閘管)] 福建/泉州 福建省泉州市
三菱IGBT模塊CM100RX-12A CM150RX-12A CM100MX-12A CM35MX-24A
[中介]采用最優(yōu)化CSTBTTM硅片技術(shù)有CIB、7單元、2單元和1單元四種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)內(nèi)部集成NTC測(cè)溫電阻全系列共享同一封裝平臺(tái)耐功率循環(huán)和熱循環(huán)能力強(qiáng)具有競(jìng)爭(zhēng)力的性價(jià)比有條件接受客戶定制
[全國(guó) 可控硅(晶閘管)] 福建/泉州 福建省泉州市
三菱IGBT模塊CM100TL-12NF CM150RL-12NF CM300DY-24NF CM200TL
[中介]采用低損耗CSTBTTM硅片技術(shù) LPT結(jié)構(gòu)用于1200V模塊，更加適合于并聯(lián)使用額定電流定義比市場(chǎng)上同類產(chǎn)品高一個(gè)等級(jí)外形尺寸與H系列IGBT完全兼容內(nèi)置導(dǎo)熱性能優(yōu)異的氮化鋁(AlN)絕緣基層，熱阻小通過(guò)調(diào)整底板和
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三菱IGBT模塊 CM200DY-24A CM300DY-24A CM150DY-34A CM300DY-34
[中介]采用CSTBTTM硅片技術(shù)飽和壓降低、短路承受能力強(qiáng)、驅(qū)動(dòng)功率小比同等級(jí)其他溝槽型IGBT電流輸出能力高10%，在相同輸出電流時(shí)ΔT(j-f)低15% 成本優(yōu)化的封裝內(nèi)置導(dǎo)熱性能優(yōu)異的氮化鋁(AlN)絕緣基層，熱阻小模塊
[全國(guó) 可控硅(晶閘管)] 福建/泉州 福建省泉州市
三菱IGBT模塊CM300DY-24S CM400C1Y-24S CM450DY-24S CM600DY-24S
[中介]采用第6代IGBT硅片技術(shù)，損耗低硅片結(jié)溫可高達(dá)175°C 硅片運(yùn)行溫度最高可達(dá)150°C 內(nèi)部集成NTC測(cè)溫電阻封裝兼容第五代A/NF系列模塊
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三菱IGBT模塊CM100MXA-24S CM150DX-24S CM200DX-34S CM300DX-34S
[中介]采用第6代IGBT硅片技術(shù)，損耗低二極管采用第6代LPT硅片技術(shù)，正向?qū)▔航档凸杵Y(jié)溫可高達(dá)175°C 硅片運(yùn)行溫度最高可達(dá)150°C 內(nèi)部集成NTC測(cè)溫電阻全系列共享同一封裝平臺(tái)有條件接受客戶定制
[全國(guó) 可控硅(晶閘管)] 福建/泉州 福建省泉州市
