IGBT
所有分類下結(jié)果三菱IGBT模塊 CM200DY-24A CM300DY-24A CM150DY-34A CM300DY-34
[中介]采用CSTBTTM硅片技術(shù)飽和壓降低、短路承受能力強、驅(qū)動功率小比同等級其他溝槽型IGBT電流輸出能力高10%，在相同輸出電流時ΔT(j-f)低15% 成本優(yōu)化的封裝內(nèi)置導熱性能優(yōu)異的氮化鋁(AlN)絕緣基層，熱阻小模塊
[全國 可控硅(晶閘管)] 福建/泉州 福建省泉州市
三菱IGBT模塊CM300DY-24S CM400C1Y-24S CM450DY-24S CM600DY-24S
[中介]采用第6代IGBT硅片技術(shù)，損耗低硅片結(jié)溫可高達175°C 硅片運行溫度最高可達150°C 內(nèi)部集成NTC測溫電阻封裝兼容第五代A/NF系列模塊
[全國 可控硅(晶閘管)] 福建/泉州 福建省泉州市
三菱IGBT模塊CM100MXA-24S CM150DX-24S CM200DX-34S CM300DX-34S
[中介]采用第6代IGBT硅片技術(shù)，損耗低二極管采用第6代LPT硅片技術(shù)，正向?qū)▔航档凸杵Y(jié)溫可高達175°C 硅片運行溫度最高可達150°C 內(nèi)部集成NTC測溫電阻全系列共享同一封裝平臺有條件接受客戶定制
[全國 可控硅(晶閘管)] 福建/泉州 福建省泉州市
三菱IGBT模塊CM1400DUC-24NF CM900DUC-24NF CM1000DUC-34NF
[中介]最新的CSTBTTM硅片技術(shù)帶來：杰出的短路魯棒性 - 降低了柵極電容 - 低VCE(sat) Vs. Eoff 新的緊湊型封裝良好的匹配液體冷卻多孔型端子使得接觸阻抗更低，實現(xiàn)更可靠的長期電氣連接端子孔徑與安裝定位孔徑一
[全國 可控硅(晶閘管)] 福建/泉州 福建省泉州市
三菱IGBT模塊CM100DC1-24NFM CM300DC1-24NFM CM150DC1-24NFM
[中介]采用CSTBTTM硅片技術(shù)，實現(xiàn)開關(guān)速度控制的最優(yōu)化飽和壓降低于業(yè)界同類產(chǎn)品續(xù)流二極管：超高速恢復特性，極低拖尾電流開關(guān)頻率可達30kHz 模塊內(nèi)部寄生電感低
[全國 可控硅(晶閘管)] 福建/泉州 福建省泉州市
三菱IGBT模塊CM200DU-12NFH CM300DU-12NFH CM400DU-12NFH
[中介]采用CSTBTTM硅片技術(shù)，實現(xiàn)開關(guān)速度控制的最優(yōu)化
飽和壓降低于業(yè)界同類產(chǎn)品
續(xù)流二極管：超高速恢復特性，極低拖尾電流
開關(guān)頻率可達60kHz
模塊內(nèi)部寄生電感低
[全國 可控硅(晶閘管)] 福建/泉州 福建省泉州市
西門康IGBT模塊SKiM270GD176D SKM400GAR176D SKM200GAL176D
[中介]
產(chǎn) 品 型 號 參 數(shù) 說 明
SKM145GAL176D 1單元，140A/1700V
SKM200GB176D 2單元，200A/1700V
SKM200GAL176D 1單元，200A/1700V
SKM400GAL176D 1單元，400A
[全國 可控硅(晶閘管)] 福建/泉州 福建省泉州市
西門康IGBT模塊SEMiX452GB176HDs SEMiX302GB12E4s SEMiX603G
[中介]SEMiX302GAL(R)12E4s 1單元，300A/1200V
SEMiX223GB12Vs 2單元，225A/1200V
[全國 可控硅(晶閘管)] 福建/泉州 福建省泉州市
英飛凌IGBT模塊BSM300GA170DN2 BSM200GA170DN2 BSM150GB120DN2
[中介]DN2標準系列
頻率10~20KHZ
[全國 可控硅(晶閘管)] 福建/泉州 福建省泉州市
